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元件参数资料
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参数目录39811
> FDS4488 MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
型号:
FDS4488
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDS4488 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫欧 @ 7.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
927pF @ 15V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
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